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2009.09.25 23:20

1. 개요
   . Transient Voltage Suppression DIODE
   . 공정 기술의 발전 -> 산화물층이 얇아짐 -> ESD에 의한 손상 발생 -> 보호소자 필요

2. TVS DIODE
의 특성
   . 빠른 응답시간
   . 낮은 클램핑 전압
   . 낮은 누설전류와 커패시턴스 -> 고속 경로들의 보호에 적합
   . 과도 전압 발생 -> TVS DIODE avalanche 동작 발생 -> TVS DIODE낮은 임피던스로
        과도 전압이 우회됨
-> 과도전압 이벤트 종료 후 T
VS DIODE는 자동으로 고 임피던스로 복귀됨
   . 한계치 내에서 동작하는 한 TVS DIODE의 품질이 떨어지거나 마모되지않는 장점

3. Parameter

   . Vwm
      - TVS DIODE가 정상적인 동작시에 견디는 전압
      - 회로의 동작 전압보다 높아야 한다.
   . Vc
      - TVS DIODE의 클램핑 전압.
   . Pppm
      - 최고 차단 전압과 전류의 곱
      - 포터블의 경우 500 watt가 적당

4. 다른 소자와의 특징 비교
   . TVS DIODE vs ZENER DIODE
      - TVS DIODE ZENER DIODE에 비해 큰 p-n 접합 영역을 가지고 있다 ->전압 서지에
         보다 강한 저항력과 낮은 클램핑 비율

   . TVS DIODE vs 세라믹 콘덴서
      - 5KV의 서지가 인가될 경우 10%의 세라믹 콘덴서들은 손상을 입기 시작한다.
      - 10KV의 서지가 인가될 경우 60%의 세라믹 콘덴서들은 손상을 입는다.
      - TVS DIODE 15KV의 서지를 처리할 수 있으므로 포터블의 8KV 저항력에 대한 표준인
        
IEC61000-4-2를 만족한다.
   . TVS DIODE vs MLV(Multilayer Varistor)
      - MLV는 전압에 민감하지 않는 부분에 적합한 반면 TVS DIODE는 낮은 클램핑 전압과
         커패시턴스에 의해 고주파 포트들에 매우 유효하다
.

5. PCB Layout
시 고려 사항
   . 보호된 경로와 보호되지 않은 경로를 병렬로 이루지 않는다.
   . 경로들이 회로의 다른 부분으로 들어가기 전에 보호 소자에 연결시킨다.

[
참고]
TVS 다이오드 이용한 포터블 장치의
ESD 보호기술
-전자엔지니어-

TVS DIODE
- AUK -

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Posted by nooriry

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